三安光电申请半导体外延结构及发光二极管专利有效提高空穴注入效率
发布时间:2026-01-27 16:08:27
国家知识产权局信息显示,安徽三安光电有限公司申请一项名为“一种半导体外延结构、发光二极管及显示装置”的专利,公开号CN121398288A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本申请属于半导体制造技术领域,提供一种半导体外延结构、发光二极管及显示装置,包括衬底及位于衬底上的外延层,外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层、第一电子阻挡层和第二半导体层,第一电子阻挡层包括依次层叠的第一子阻挡层和插入层,第一子阻挡层包括高铝半导体层,插入层形成在高铝半导体层上,插入层包括非故意掺杂铝的极化强化层。在电场作用下,通过极化强化层配合高铝半导体层,能够在极化诱导效应下获得更高的载流子迁移率,利于形成二维空穴气,增加空穴浓度,有效提高了空穴注入效率,进而提高器件发光效率。
天眼查资料显示,安徽三安光电有限公司,成立于2010年,位于芜湖市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本298000万人民币。通过天眼查大数据分析,安徽三安光电有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目23次,专利信息394条,此外企业还拥有行政许可25个。
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